您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

一键发布采购 上传BOM
上传BOM文件: BOM文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
应用领域:

有效期:
OEM清单文件: OEM清单文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
有效期:
您现在的位置:首页 > N字母型号搜索 > N字母第85页 > NSS60600MZ4T1G

NSS60600MZ4T1G中文资料

NSS60600MZ4T1G图片

NSS60600MZ4T1G外观图

  • 大小:87.28KB
  • 厂家:ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述:60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
  • 产品培训模块:Low Vce(sat) BJT Power Savings
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):6A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):350mV @ 600mA,6A
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大:800mW
  • 频率 - 转换:100MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装:SOT-223
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NSS60600MZ4T1G-ND

NSS60600MZ4T1G供应商

更新时间:2023-01-09 00:34:30
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

在采购NSS60600MZ4T1G进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

免责声明:以上所展示的NSS60600MZ4T1G信息由会员自行提供,NSS60600MZ4T1G内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

友情提醒:为规避购买NSS60600MZ4T1G产品风险,建议您在购买NSS60600MZ4T1G相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"委托宝交易服务",买卖都安全。