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NSS60600MZ4T1G中文资料

NSS60600MZ4T1G图片

NSS60600MZ4T1G外观图

  • 大小：87.28KB
  • 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
  • 产品培训模块：Low Vce(sat) BJT Power Savings
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：6A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：350mV @ 600mA，6A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：120 @ 1A，2V
  • 功率 - 最大：800mW
  • 频率 - 转换：100MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装：SOT-223
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NSS60600MZ4T1G-ND

NSS60600MZ4T1G供应商

更新时间:2023-01-09 00:34:30
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